晶體生長過程的德國DIAS紅外測溫儀應用

規格：DG42N, DS42N, DG40N, DS40N, DG44, DS44N

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晶體生長過程的德國DIAS紅外測溫儀應用

產品詳細描述

 晶體生長過程的德國DIAS紅外測溫儀應用

單晶硅爐常使用型號

1、二線制紅外測溫儀DG42N(350~1800°C)

2、二線制紅外測溫儀DS42N(600~2500°C)

3、二線制紅外測溫儀DG40N(350~1800°C)

4、二線制紅外測溫儀DS40N(600~2500°C)

5、四線制紅外測溫儀DG44N(350~1800°C)

6、四線制紅外測溫儀DS44N(600~2500°C)

多晶硅爐常使用雙色紅外測溫儀

1、低價格雙色紅外測溫儀DSR44N(700~1800°C)

2、中價格雙色紅外測溫儀DSR54N(700~1800°C)

3、中價格雙色紅外測溫儀DSR56N(700~1800°C)

4、高精度雙色紅外測溫儀DSR10N(700~1800°C)

測量空間有限時，推薦使用光纖紅外測溫儀

1、二線制紅外測溫儀DSF40N(600~1800°C)

2、二線制紅外測溫儀DGF40N(350~1800°C)

3、四線制紅外測溫儀DSF44N(600~1800°C)

4、四線制紅外測溫儀DGF44N(350~1800°C)

簡述

太陽能行業的晶圓生產需要用到單晶硅或多晶硅，是在所謂的晶體生長爐，即單晶硅爐或多晶硅爐拉晶生長的。

這種從爐內生長的單晶或多晶硅，是要從結晶爐(即單晶硅爐或多晶硅爐)熔液慢慢冷卻生長出來的。測量這種過程的結晶熔液的溫度很重要，同樣控制這個結晶過程的加熱元件的溫度也很重要。這兩種溫度必須要協調好，才能確保最優的晶體生長過程。

太陽能單晶爐可使用的DIAS紅外測溫儀有10、40、44、54、56這些系列，都可以用來測量晶體生長的熔化溫度，性價比較高的40、42、44系列型號有DS42N、DG42N或 DS40N、DG40N、DS44N、DG44N，均為短波紅外測溫儀，測溫范圍800 ~ 1800°C 或 800~2500 °C。

多晶硅爐也可使用雙色紅外測溫儀DSR44N、DSR54N、DSR56N、DSR10N。其中44、54、56、10系列可以通過總線連接到現有控制系統。

在測量空間有限時，推薦使用光纖電纜和小光纖探頭的光纖紅外測溫儀；低價格型號有DSF40N、DGF40N、DSF44N、DGF44N ，最小的光纖探頭的光圈為12mm，測溫范圍可以選600~1800°C。另外，可以選擇90°鏡像附件或彎曲的光纖電纜。測量光斑僅僅幾個毫米。

不管是哪一種測量任務，都可以選擇好合適的紅外測溫儀參數，獲得最優的效果，觀測和控制獲得最佳的晶體生長。

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